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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [1]
2001 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
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Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Strong three-level resonant magnetopolaron effect due to the intersubband coupling in heavily modulation-doped GaAs/AlxGa1-xAs single quantum wells at high magnetic-fields
期刊论文
physical review b, 2001, 卷号: 64, 期号: 16, 页码: art.no.161303
Wang YJ
;
Leem YA
;
McCombe BD
;
Wu XG
;
Peeters FM
;
Jones ED
;
Reno JR
;
Lee XY
;
Jiang HW
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浏览/下载:93/10
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提交时间:2010/08/12
POLARON-CYCLOTRON-RESONANCE
GAAS-ALAS SUPERLATTICES
PHONON MODES
HETEROSTRUCTURES
Temperature-induced turnover of the well and barrier layers in ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se superlattices
期刊论文
physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 4, 页码: 2691-2696
Zhu ZM
;
Li GH
;
Zhang W
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Wang J
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
PRESSURE
DEPENDENCE
ZN1-XMNXSE
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