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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101 Deng HX (Deng Hui-Xiong); Jiang XW (Jiang Xiang-Wei); Tang LM (Tang Li-Ming) 收藏  |  浏览/下载：101/3  |  提交时间：2010/05/24 SIMULATION  TRANSISTORS  LIMIT  NM   Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 8, 页码: art.no.084510 Jiang XW (Jiang Xiang-Wei); Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li SS (Li Shu-Shen); Luo JW (Luo Jun-Wei); Wang LW (Wang Lin-Wang) 收藏  |  浏览/下载：158/62  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRONIC-STRUCTURE   Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: art. no. 124507 Deng, HX; Jiang, XW; Luo, JW; Li, SS; Xia, JB; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：65/5  |  提交时间：2010/03/08 SIMULATION  MOSFETS  SUPERLATTICES  REGIME  LIMIT   Photoluminescence pressure coefficients of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 physical review b, 2005, 卷号: 71, 期号: 24, 页码: art.no.245315 Luo JW; Li SS; Xia JB; Wang LW 收藏  |  浏览/下载：41/11  |  提交时间：2010/03/17 ELECTRONIC-STRUCTURE