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内容类型
期刊论文 [11]
学位论文 [4]
发表日期
2016 [15]
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发表日期:2016
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几种宽禁带半导体电子结构以及热电性质的第一性原理研究
学位论文
2016, 2016
黄政
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2017/06/20
热电
宽禁带
第一性原理
Thermoelectric
Wide-band-gap
First principle
基于一维纳米结构的宽禁带半导体同位素电池的研究
学位论文
2016, 2016
张强
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2017/06/20
二氧化钛纳米管
氧化锌纳米线
同位素电池
TiO2 nanotubes
ZnO nanowires
betavoltaic battery
Layered crystalline ZnIn2S4 nanosheets: CVD synthesis and photo-electrochemical properties
期刊论文
NANOSCALE, 2016, 卷号: 8, 期号: 42, 页码: 18197-18203
作者:
Yang, Wenjin
;
Liu, Baodan
;
Fang, Tao
;
Jennifer, Weimmerskirch-Aubatin
;
Christophe, Labbe
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2021/02/02
Temperature-dependent photoluminescence emission and raman scattering from mo1-xwxs2 monolayers
期刊论文
Nanotechnology, 2016, 卷号: 27, 期号: 44, 页码: 6
作者:
Chen, Yanfeng
;
Wen, Wen
;
Zhu, Yiming
;
Mao, Nannan
;
Feng, Qingliang
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2019/05/09
Transition metal dichalcogenide
2d material
Alloy
Raman spectroscopy
Photoluminescence
Temperature dependence
Two-dimensional wide-band-gap ii–v semiconductors with a dilated graphene-like structure
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2016, 卷号: 31, 期号: 12
作者:
Zhang,Xue-Jing
;
Liu,Bang-Gui
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/05/09
Two-dimensional semiconductor
Wide band gap
First-principles calculation
68.65.-k
73.22.-f
78.67.-n
ICP 轰击下的In 掺杂及GaN基LED外延材料和器件性能的研究
学位论文
2016, 2015
曾勇平
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/20
p-GaN
ICP
LED
欧姆接触
p-GaN
ICP
LED
Ohmic contact
InGaN低维材料载流子动力学研究及及GaN基绿光垂直腔面发射激光器制作
学位论文
2016, 2015
翁国恩
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/06/20
InGaN低维材料
非对称耦合量子阱
量子点
载流子动力学
垂直腔面发射激光器
Low-dimensional InGaN material
Asymmetric coupled quantum well
Quantum dot
Carrier dynamics
Vertical cavity surface emitting laser
Synthesis, structure, and optical properties of K(2.4)Ga(2.4)M(1.6)Q(8) (M = Si, Ge; Q = S, Se) crystals and glasses
期刊论文
RSC ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 80
作者:
He, Jianqiao
;
Zhang, Xian
;
Guo, Pan
;
Cheng, Ye
;
Zheng, Chong
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/02/24
Cu-doped CdS and its application in CdTe thin film solar cell
期刊论文
AIP Advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 015203
作者:
Deng, Yi
;
Yang, Jun
;
Yang, Ruilong
;
Shen, Kai
;
Wang, Dezhao
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/04
annealing, cadmium compounds, copper, electrical conductivity, electron-hole recombination, II-VI semiconductors, photoluminescence, p-n junctions, radiation quenching, recrystallisation, semiconductor doping, semiconductor thin films, solar cells, surface states, thin film devices, wide band gap semiconductors
Temperature-dependent photoluminescence emission and Raman scattering from Mo1-xWxS2 monolayers
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2016
Chen, Yanfeng
;
Wen, Wen
;
Zhu, Yiming
;
Mao, Nannan
;
Feng, Qingliang
;
Zhang, Mei
;
Hsu, Hung-Pin
;
Zhang, Jin
;
Huang, Ying-Sheng
;
Xie, Liming
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/12/03
transition metal dichalcogenide
2D material
alloy
Raman spectroscopy
photoluminescence
temperature dependence
TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES
BAND-GAP
ROOM-TEMPERATURE
ENERGY-GAP
GRAPHENE
MOS2
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SEMICONDUCTORS
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