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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101 Cao YL (Cao Yu-Lian); Yang T (Yang Tao); Xu PF (Xu Peng-Fei); Ji HM (Ji Hai-Ming); Gu YX (Gu Yong-Xian); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Wang Q (Wang Qing); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Chen LH (Chen Liang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：220/51  |  提交时间：2010/05/24 excited states  gallium arsenide  III-V semiconductors  indium compounds  laser tuning  optical films  quantum dot lasers  silicon compounds  tantalum compounds  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD  PERFORMANCE  GAIN   二元高－k材料研究进展及制备 期刊论文 功能材料, 2002, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 462-464 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 SiO2/Ta interface reaction in magnetic multilayers and its influence on Ta buffer layers 期刊论文 chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 19, 页码: 1601-1603 Yu GG; Ma JD; Zhu FG; Chai CL 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2010/08/12 SiO2/Ta interface  interface reaction  X-ray photoelectron speptroscopy (XPS)  SPIN VALVES