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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2006 [1]
2004 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
会议论文
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Gong, QC (Gong, Q. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
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浏览/下载:166/18
  |  
提交时间:2010/03/29
4H-SiC
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
10th international conference on defects - recognition, imaging and physics in semiconductors (drip 10), batz sur mer, france, sep 29-oct 02, 2003
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
收藏
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浏览/下载:20/1
  |  
提交时间:2010/10/29
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
POINT-DEFECTS
PRESSURE
WAFERS
TRAPS
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