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半导体研究所 [40]
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Wei, T. B.
;
Yang, J. K.
;
Hu, Q.
;
Duan, R. F.
;
Huo, Z. Q.
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Cl
Pl
Stacking fault
Hvpe
Gan
Nonpolar
Structure, Stress State and Piezoelectric Property of GaN Nanopyramid Arrays
期刊论文
applied physics express, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: article no.45001
Liu JQ
;
Wang JF
;
Gong XJ
;
Huang J
;
Xu K
;
Zhou TF
;
Zhong HJ
;
Qiu YX
;
Cai DM
;
Ren GQ
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:71/3
  |  
提交时间:2011/07/05
OUTPUT VOLTAGE
NANOWIRES
NANOGENERATORS
GROWTH
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
收藏
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浏览/下载:80/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Comparison and combination of several stress relief methods for cubic boron nitride films deposited by ion beam assisted deposition
期刊论文
Surface & coatings technology, 2009, 卷号: 203, 期号: 10-11, 页码: 1452-1456
作者:
Fan, Y. M.
;
Zhang, X. W.
;
You, J. B.
;
Tan, H. R.
;
Chen, N. F.
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Cubic boron nitride
Stress relaxation
Ion beam assisted deposition
Fourier transformed infrared spectroscopy
Comparison and combination of several stress relief methods for cubic boron nitride films deposited by ion beam assisted deposition
期刊论文
surface & coatings technology, 2009, 卷号: 203, 期号: 10-11, 页码: 1452-1456
作者:
Tan HR
;
Zhang XW
;
You JB
;
Fan YM
收藏
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浏览/下载:262/33
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提交时间:2010/03/08
Cubic boron nitride
Stress relaxation
Ion beam assisted deposition
Fourier transformed infrared spectroscopy
Improved light extraction of gan-based leds with nano-roughened p-gan surfaces
期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3448-3451
作者:
Gao Hai-Yong
;
Yan Fa-Wang
;
Fan Zhong-Chao
;
Li Jin-Min
;
Zeng Yi-Ping
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
High-temperature aln interlayer for crack-free algan growth on gan
期刊论文
Journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Sun, Qian
;
Wang, Jianteng
;
Wang, Hui
;
Jin, Ruiqin
;
Jiang, Desheng
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes
会议论文
3rd ieee international conference of nano/micro engineered and molecular systems, sanya, peoples r china, jan 06-09, 2008
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/09
bulge test fracture property
silicon carbide thin films
Weibull distribution function
High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516
Sun, Q
;
Wang, JT
;
Wang, H
;
Jin, RQ
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Zhao, DG
;
Yang, H
;
Zhou, SQ
;
Wu, MF
;
Smeets, D
;
Vantomme, A
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
STRESS
SI(111)
REDUCTION
THICKNESS
Improved light extraction of GaN-based LEDs with nano-roughened p-GaN surfaces
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3448-3451
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Fan, ZC
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
收藏
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/08
EMITTING-DIODES
EFFICIENCY
OUTPUT
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