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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A monitoring circuit for NBTI degradation at 65nm technology node 其他 2013-01-01 He, Yandong; Hong, Jie; Zhang, Ganggang; Han, Lin; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 DIGITAL CIRCUITS  PERFORMANCE  IMPACT   Ultrathin oxynitride p-MOSFET recovery characteristics under NBTI stress 其他 2007-01-01 Yandong, He; Mingzhen, Xu; Changhua, Tan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 EFFECT OF NEW GENERATED INTERFACE TRAPS ON F-N VOLTAGE RELAXATION OF THIN SiO_2 其他 1989-01-01 XU mingzhen; TAN changhua; WANG yangyuan 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/12/03 trapping  capture  Electron  relaxation  closer  supposed  filled  capacitor  maintain  ingle  trapping  capture  Electron  relaxation  closer  supposed  filled  capacitor  maintain  ingle