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半导体研究所 [92]
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Metamaterials absorber based on doped semiconductor for thz and fir frequency ranges
期刊论文
Journal of optics, 2019, 卷号: 21, 期号: 3
作者:
Chen,Miao
;
Yan,Wei
;
Tong,Xin
;
Zeng,Liuwen
;
Li,Zhaofeng
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浏览/下载:310/0
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提交时间:2019/05/12
Metamaterials
Subwavelength structure
Absorber
Impurity resonant state p-doping layer for high-efficiency nitride-based light-emitting diodes
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 114004
作者:
Zhiqiang Liu
;
Xiaoyan Yi
;
Liancheng Wang
;
Tongbo Wei
;
Guodong Yuan
;
Jianchang Yan
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Yi Shi
;
Yong Zhang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/11/19
Electrical and magnetic properties of ga1-xgdxn grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 8, 页码: 5
作者:
Gupta, Shalini
;
Zaidi, Tahir
;
Melton, Andrew
;
Malguth, Enno
;
Yu, Hongbo
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
High-reflectivity aln/gan distributed bragg reflectors grown on sapphire substrates by mocvd
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Wu, C. M.
;
Zhang, B. P.
;
Shang, J. Z.
;
Cai, L. E.
;
Zhang, J. Y.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
Yang GD
;
Zhu F
;
Dong S
收藏
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浏览/下载:64/2
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提交时间:2011/07/05
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting III-V materials
GASB/MN DIGITAL ALLOYS
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
RAMAN-SCATTERING
MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES
EPITAXIAL LAYERS
THIN-FILMS
SEMICONDUCTORS
STRAIN
MAGNETOELECTRONICS
SPINTRONICS
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
Evaluating 0.53 ev gainassb thermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 8
作者:
Wang, Y.
;
Chen, N. F.
;
Zhang, X. W.
;
Huang, T. M.
;
Yin, Z. G.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Origins of magnetism in transition metal doped cul
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 5
作者:
Wang, Jing
;
Li, Jingbo
;
Li, Shu-Shen
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Sub-nanosecond silicon-on-insulator optical micro-ring switch with low crosstalk
期刊论文
Chinese optics letters, 2010, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 757-760
作者:
Xiao, Xi
;
Xu, Haihua
;
Zhou, Liang
;
Li, Zhiyong
;
Li, Yuntao
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
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