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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101 作者:  Wei HY;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：235/41  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  conduction bands  energy gap  high electron mobility transistors  III-V semiconductors  magnesium compounds  passivation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：137/40  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：179/3  |  提交时间：2010/08/12 BARRIER FORMATION  DIODES  PD   Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 1-2, 页码: 57-63 Deng X; Wang W; Han S; Povolny H; Du W; Liao X; Xiang X 收藏  |  浏览/下载：99/11  |  提交时间：2010/08/12 Effect of reflectivity at the interface of oxide layer on transverse mode control in oxide confined vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文 journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 7, 页码: 3769-3772 Huang YZ 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 DIODES  POLARIZATION  SELECTION  LOSSES   Visible vertical cavity surface emitting laser 会议论文 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Cheng P; Ma XY; Gao JH; Kang XJ; Cao Q; Wang HJ; Luo LP; Zhang CH; Lu XL; Lin SM 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/10/29 semiconductor lasers  oxidation   CONTROLLING OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS FOR AU/N-GAAS AND TI/N-GAAS WITH HYDROGEN INTRODUCED AFTER METAL-DEPOSITION BY BIAS ANNEALING 期刊论文 applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 21, 页码: 2719-2721 JIN SX; WANG HP; YUAN MH; SONG HZ; WANG H; MAO WL; QIN GG; REN ZY; LI BC; HU XW; SUN GS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 DIODES