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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2000 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
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浏览/下载:74/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712
作者:
Song HP
;
Zhang B
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/04
aluminium compounds
effective mass
gallium arsenide
III-V semiconductors
SCF calculations
semiconductor quantum wires
spectral line shift
EXCHANGE INTERACTION
ENERGY
STATES
ABSORPTION
NANOWIRES
ELECTRONS
SUBBANDS
WELLS
FIELD
Quasi-hexagonal ordered arrays of FePt nanoparticles prepared by a micellar method
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3520-3523
Sheng, Q
;
Xing-Wang, Z
;
Zhi-Gang, Y
;
Jing-Bi, Y
;
Nuo-Fu, C
收藏
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浏览/下载:60/9
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提交时间:2010/03/08
PERPENDICULAR MAGNETIC-ANISOTROPY
FILMS
ZnO thin films on Si(111) grown by pulsed laser deposition from metallic Zn target
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 841-845
Zhao J (Zhao Jie)
;
Hu LZ (Hu Lizhong)
;
Wang ZY (Wang Zhaoyang)
;
Sun J (Sun Jie)
;
Wang ZJ (Wang Zhijun)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/04/11
ZnO
pulsed laser deposition
oxygen pressure
annealing
X-ray diffraction
photoluminescence
ULTRAVIOLET EMISSION
ROOM-TEMPERATURE
ZINC-OXIDE
Amorphous silicon nanoparticles in compound films grown on cold substrates for high-efficiency photoluminescence
期刊论文
nanotechnology, 2003, 卷号: 14, 期号: 11, 页码: 1235-1238
Wang YQ
;
Chen WD
;
Liao XB
;
Cao ZX
收藏
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/08/12
SI NANOCRYSTALS
LUMINESCENCE
Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE
EPILAYERS
STRESS
SEMICONDUCTORS
ELECTRONS
SILICON
STRAIN
FILMS
A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401
Wu ZL
;
Huang DD
;
Yang XZ
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
X-RAY PHOTOELECTRON
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
SPECTROSCOPY
SURFACES
SI(111)
OXIDES
LAYERS
SI
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