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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantum measurement characteristics of a double-dot single electron transistor 期刊论文 physical review b, 2007, 卷号: 75, 期号: 15, 页码: art.no.155333 Jiao, HJ (Jiao, HuJun); Li, XQ (Li, Xin-Qi); Luo, JY (Luo, JunYan) 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/29 TRANSPORT   Stochastic resonance in quantum-well semiconductor lasers 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1106-1109 Wang J; Ma XY; Bai YM; Cao L; Wu DJ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/11 SINGLE-MODE LASER  MODULATED NOISE  RING LASER  GAIN   Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 4, 页码: 478-479 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Zhang M; Wang YS; Bai XW; Zhao J 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 FLOATING-ZONE GROWTH  ZERO GRAVITY  MICROGRAVITY  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  SILICON  GE   Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 current stressing  DLTS  flicker noise  heterojunctions  III-V nitride  LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS  RESONANT-TUNNELING DIODES  FLICKER NOISE  GALLIUM NITRIDE  1/F NOISE  DEVICES  TRANSISTORS  QUALITY