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一种薄膜样品全自动裁切方法与装置 专利
专利号: ZL201910879174.2, 申请日期: 2021-03-02,
作者: 花昌义; 李志刚; 叶超; 王善锋; 孙淼

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一种配方烟丝中膨胀烟丝全自动分离仪及其控制方法 专利
专利号: CN105910943B, 申请日期: 2019-03-01,
作者: 邓国栋; 花昌义; 李志刚; 堵劲松; 张大波

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一种具有Janus结构的复合纳米粒子及其制备方法和应用 专利
专利号: CN106421822A, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2017-02-22
作者: 祖柏儿; 吴爱国; 曾乐勇; 马雪华

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III族氮化物发光器件 专利
专利号: CN103180973A, 申请日期: 2013-06-26, 公开日期: 2013-06-26
作者: M.J.格伦德曼恩; N.F.加德纳; W.K.戈伊茨; M.B.麦克劳林; J.E.埃普勒

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一种利用地下水中Fe(Ⅱ)与Mn(Ⅱ)进行除砷的方法 专利
专利号: CN102583810A, 申请日期: 2011-01-10, 公开日期: 2012-07-18
作者: 曲久辉; 吴鹍; 徐伟; 兰华春; 刘会娟

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一种海水中亚铁、三价铁及总铁含量的测定方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010110284.1, 申请日期: 2010-07-21, 公开日期: 2010-07-21
吴志昊; 尤锋; 马得友; 徐冬冬; 张培军; 徐永立

收藏 | 浏览/下载：108/0 | 提交时间：2014/08/04

一种海水中亚铁 ②向步骤①所得经酸化的水样中加入1-2mol/L氢氧化钠溶液 Fe ( II ) l&alpha ③向1-5mL空白对照溶液 - A 2 &epsiv 其中 Fe ( III ) l &epsiv 已知浓度的标准溶液配制方法为 Fe ( II ) l&alpha ④在562nm波长下 ( &epsiv ⑤取0.8-4mL测定吸光度后的空白对照溶液 Fe ( II ) l - &epsiv 室温静置5-10min后 Fe ( III ) l ) C Fe ( III ) = A 2 - A 1 &alpha ⑥在562nm波长下 &alpha ⑦重复步骤⑤ ( &epsiv 在562nm波长下 Fe ( II ) l - &epsiv ⑧亚铁 Fe ( III ) l ) CFe(t)＝CFe(II)+CFe(III)其中 C Fe ( II ) = A 1 &epsiv 三价铁及总铁含量的测定方法氢氧化钠溶液与水样的体积比为1∶(20-100) 已知浓度的标准溶液及待测水样中分别加入100-500μL用0.05-0.2mol/L乙酸铵水溶液配制的0.01-0.05mol/L菲咯嗪一钠盐溶液显色空白对照溶液配制方法为取pH已经调至4-6的空白对照溶液先将空白对照溶液的吸光度设置为零后标准溶液及待测水样再加入50-250μL用氨水配制的pH为9-10的10mol/L乙酸铵水溶液混匀先将空白对照溶液的吸光度设置为零后先将空白对照溶液的吸光度设置为零后三价铁和总铁浓度计算 l为比色皿的光径。其特征在于使水样pH在4-6之间先配制与待测水样初始盐度一致的氯化钠水溶液加入FeCl3使其总铁浓度为0.1-1mg/L 测定标准溶液及待测水样的吸光度A1样加入150-750μL用1-3mol/L盐酸配制的1-2mol/L的盐酸羟胺溶液混匀测定标准溶液及待测水样的吸光度A2样测定标准溶液的吸光度A3标通过标准溶液的总铁浓度及其测定的3次吸光度先根据下述公式计算出亚铁和三价铁的吸光系数εFe(II) 具体步骤如下：①采集10-100mL水样作为待测水样再加入1-2mol/L盐酸使其pH在4-6之间 A1标 A2标 εFe(III)以及α 立即加入1-2mol/L盐酸 α＝A3/A2 盐酸与水样的体积比为1∶(20-100) 以此再结合水样测定的2次吸光度利用下述公式计算出海水水样中亚铁CFe(II) 使水样pH至1-2 三价铁CFe(III)及总铁CFe(t)浓度作为酸化水样密封室温下备用

集積回路の製造方法 专利
专利号: JP2512218B2, 申请日期: 1996-04-16, 公开日期: 1996-07-03
作者: 松田薫; 成沢忠

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半導体発光素子 专利
专利号: JP1995326817A, 申请日期: 1995-12-12, 公开日期: 1995-12-12
作者: 倉又朗人

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III-V Semiconductor heterostructure contacting a P-type II-VI compound 专利
专利号: US5442204, 申请日期: 1995-08-15, 公开日期: 1995-08-15
作者: MENSZ, PIOTR M.

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化合物半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP1994013316A, 申请日期: 1994-01-21, 公开日期: 1994-01-21
作者: 古川幸生; 織田仁

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