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科研机构
半导体研究所 [21]
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期刊论文 [17]
会议论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [5]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
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学科主题
半导体材料 [21]
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共21条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Intersubband absorption energy shifts in 3-level system for asymmetric quantum well terahertz emitters
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083112
Song YF (Song Yafeng)
;
Lu YW (Lu Yanwu)
;
Zhang BA (Zhang Biao)
;
Xu XQ (Xu Xiaoqing)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Guo Y (Guo Yan)
;
Shi K (Shi Kai)
;
Li ZW (Li Zhiwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/12/05
OPTICAL PHONON ENERGY
INVERSION-LAYERS
TRANSITIONS
RELAXATION
LASERS
STATES
Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Ye XL
;
Liang S
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浏览/下载:32/4
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提交时间:2010/03/08
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Properties of exchange interaction in Yb3Fe5O12 under extreme conditions
期刊论文
journal of magnetism and magnetic materials, 2009, 卷号: 321, 期号: 19, 页码: 3307-3310
Wang W
;
Li DY
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浏览/下载:100/2
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提交时间:2010/03/08
Exchange interaction
Anisotropy
Temperature dependence
Iron garnet
Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38
Xie Jing
;
Liu Yunfei
;
Yang Jinling
;
Tang Longjuan
;
Yang Fuhua
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 151-154
作者:
Li Yan
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
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浏览/下载:43/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
Reliable concentrated photovoltaic system with compound concentrator
会议论文
solar world congress of the international-solar-energy-society, beijing, peoples r china, sep 18-21, 2007
作者:
Huang TM
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/09
SOLAR-CELLS
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
20th congress of the international-commission-for-optics, changchun, peoples r china, aug 21-26, 2005
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
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浏览/下载:95/18
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提交时间:2010/03/29
ZnO
MOCVD
thermal annealing
photoluminescence
x-ray diffraction
atomic force microscopy
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
MECHANISMS
EPITAXY
CVD
SI
Changing planar thin film growth into self-assembled island formation by adjusting experimental conditions
期刊论文
thin solid films, 2005, 卷号: 476, 期号: 1, 页码: 68-72
Sun, J
;
Jin, P
;
Wang, ZG
;
Zhang, HZ
;
Wang, ZY
;
Hu, LZ
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/17
liquid phase epitaxy (LPE)
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