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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2003 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
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学科主题:半导体物理
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Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107
Wang, BR
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Dou, XM
;
Xu, ZY
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
收藏
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浏览/下载:104/2
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZED STATES
ISLANDS
WIRES
SUPERLATTICES
ORGANIZATION
GAAS(100)
EXCITONS
GROWTH
DECAY
GAAS
Interdot interaction induced zero-bias maximum of the differential conductance in parallel double quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.043705
Chi F
;
Li SS
收藏
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浏览/下载:93/0
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提交时间:2010/04/11
AHARONOV-BOHM INTERFEROMETER
SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR
COULOMB-BLOCKADE
ANDERSON MODEL
MAGNETIC-FLUX
KONDO REGIME
TRANSPORT
EQUILIBRIUM
DEVICES
Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
magnetic semiconductor
magnetic p-n junction
ion beam epitaxy
gadolinium silicides
METAL-INSULATOR-TRANSITION
P-N-JUNCTION
INDUCED FERROMAGNETISM
SI/SIER INTERFACE
BEAM EPITAXY
SEMICONDUCTORS
EXCITATION
MAGNETORESISTANCE
ALLOYS
Spectral properties of a double-quantum-dot structure: A causal Green's function approach
期刊论文
physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 12, 页码: 8727-8733
You JQ
;
Zheng HZ
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2010/08/12
ANDERSON MODEL
RENORMALIZATION-GROUP
TRANSPORT
OSCILLATIONS
IMPURITY
LEVEL
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