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期刊论文 [15]
学位论文 [4]
发表日期
2015 [19]
学科主题
chemistry [1]
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发表日期:2015
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Analysis and Design of a Broadband SiGe HBT Image-reject Mixer Integrating Quadrature Signal Generator
期刊论文
Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on, 2015
作者:
Zhang LJ(张立军)
;
Peng YT(彭亚涛)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/06/02
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
李培
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2015/06/15
不同结构SiGe HBT
单粒子效应
三维数值模拟仿真
激光微束试验
伪集电极加固
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
李培
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/06/15
不同结构sige Hbt
单粒子效应
三维数值模拟仿真
激光微束试验
伪集电极加固
基于SiGe HBT 的微波低温低噪声放大器研究
学位论文
硕士, 南京: 中科院紫金山天文台, 2015
任晓东
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2015/09/09
双极性导质结晶体管
低噪声放大器
锗硅
增益稳定性
温度特性
A hybrid BCI based on EEG and fNIRS signals improves the performance of decoding motor imagery of both force and speed of hand clenching
期刊论文
JOURNAL OF NEURAL ENGINEERING, 2015, 卷号: 12, 期号: 3
作者:
Yin XX(尹旭贤)
;
Xu BL(徐保磊)
;
Jiang ZH(蒋长好)
;
Fu YF(伏云发)
;
Wang ZD(王志东)
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2015/07/05
EEG-fNIRS
hand clenching force and speed
motor imagery
joint mutual information (JMI)
extreme learning machines (ELMs)
Laser-Induced Single Event Transients in Local Oxidation of Silicon and Deep Trench Isolation Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 32, 期号: 8
作者:
Li, P (Li Pei)
;
Guo, HX (Guo Hong-Xia)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Zhang, JX (Zhang Jin-Xin)
;
Wei, Y (Wei Ying)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2018/01/25
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真
期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 415-421
作者:
李培
;
郭红霞
;
郭旗
;
文林
;
崔江维
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2015/09/09
锗硅异质结双极晶体管
单粒子效应
加固设计
伪集电极
Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8
作者:
Li, P (Li Pei)
;
Guo, HX (Guo Hong-Xia)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Zhang, JX (Zhang Jin-Xin)
;
Xiao, Y (Xiao Yao)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/09/14
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
three-dimensional numerical simulation
laser microbeam experiment
Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 11
作者:
Li, P (Li Pei)
;
Guo, HX (Guo Hong-Xia)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Wen, L (Wen Lin)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/07/11
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
hardening design
dummy collector
Hot carrier effect on a single SiGe HBT's EMI response
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2015, 卷号: 55, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 2627-2633
作者:
Xiong, Cen
;
Li, Yonghong
;
Liu, Shuhuan
;
Tang, Du
;
Zhang, Jinxin
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/02
Hot carrier stress
SiGe HBT
EMI
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