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| - 专利
专利号: JP1993019837B2, 申请日期: 1993-03-17, 公开日期: 1993-03-17
作者: ISHIDA JUJI; FUKADA HAYAMIZU; TANAKA HARUO; NAKADA NAOTARO
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1992287390A, 申请日期: 1992-10-12, 公开日期: 1992-10-12
作者: TADA KENTARO
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| Semiconductor crystal growing method 专利
专利号: JP1991218007A, 申请日期: 1991-09-25, 公开日期: 1991-09-25
作者: HORIE KAYOKO; OTSUKA TAKEO; AKIYAMA NAOKI
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| Method of in situ photo induced evaporation enhancement of compound thin films during or after epitaxial growth 专利
专利号: US4962057, 申请日期: 1990-10-09, 公开日期: 1990-10-09
作者: EPLER, JOHN E.; TREAT, DAVID W.; PAOLI, THOMAS L.
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| Manufacture of semiconductor laser device 专利
专利号: JP1985224287A, 申请日期: 1985-11-08, 公开日期: 1985-11-08
作者: NISHIJIMA YOSHITO; FUKUDA HIROKAZU; SHINOHARA KOUJI; EBE KOUJI
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| Manufacture of multiplex quantum well structure semiconductor laser 专利
专利号: JP1985092685A, 申请日期: 1985-05-24, 公开日期: 1985-05-24
作者: SUGIMOTO MITSUNORI; IDE YUUICHI; IWATA HIROSHI
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| Forming method of n type region to p type gaas or gaalas group substrate 专利
专利号: JP1984168630A, 申请日期: 1984-09-22, 公开日期: 1984-09-22
作者: YAMAGUCHI TAKAO
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