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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文 symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002 Wang JX; Wang XL; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Hu GX; Liu HX; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ION-SCATTERING SPECTROSCOPY  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  FILMS  POLARIZATION  GAN(0001)  SURFACES  GROWTH  DIODES   Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450 Liao MY; Chai CL; Yao ZY; Yang SY; Liu ZK; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：83/8  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  growth models  ion bombardment  reflection high energy electron diffraction  physical vapor phase deposition  semiconducting silicon compounds  CUBIC GAN  GROWTH  DEPOSITION  EPITAXY  SILICON  DIAMOND