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半导体研究所 [1341]
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Discovering a Cr-Induced Novel Superstructure on Top of a GaN Pseudo 1 x 1 Surface by Scanning Tunneling Microscopy Using a Fe/W Tip
期刊论文
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2021, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 6301-6306
作者:
Zou, Yuxiao
;
Tang, Diandong
;
Wang, Xin
;
Wang, Fang
;
Cheng, Bo
;
Liu, Ying
;
Song, Guofeng
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提交时间:2022/03/23
Continuous orientated growth of scaled single-crystal 2D monolayer films
期刊论文
NANOSCALE ADVANCES, 2021, 卷号: 3, 期号: 23, 页码: 6545-6567
作者:
Han, Ziyi
;
Li, Lin
;
Jiao, Fei
;
Yu, Gui
;
Wei, Zhongming
;
Geng, Dechao
;
Hu, Wenping
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2022/03/28
Electrical properties of Si and Be doped InSb and InAlSb/InSb superlattice applied to improve the doping efficiency
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 535, 页码: 125377
作者:
Haiyun Dong
;
Yang Zhang
;
Lijie Cui
;
Min Guan
;
Yiyang Li
;
Zhanping Zhu
;
Baoqiang Wang
;
Yiping Zeng
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/11/01
HCl-H2SO4-H2O solution etching behavior of InAs (1 0 0) surface
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 547, 页码: 125800
作者:
Guiying Shen
;
Youwen Zhao
;
Jing Sun
;
Jingming Liu
;
Hui Xie
;
Jun Yang
;
Zhiyuan Dong
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2021/05/24
Catalyst-Assisted Large-Area Growth of Single-Crystal β-Ga2O3 Nanowires on Sapphire Substrates by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
NANOMATERIALS, 2020, 卷号: 10, 期号: 6, 页码: 1031
作者:
Chunyang Jia
;
Dae-Woo Jeon
;
Jianlong Xu
;
Xiaoyan Yi
;
Ji-Hyeon Park
;
Yiyun Zhang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/06/11
Investigation of the distribution of deep levels in 4H-SiC epitaxial wafer by DLTS with the method of decussate sampling
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125352
作者:
Yawei He
;
Guoguo Yan
;
Zhanwei Shen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Feng Zhang
;
Yiping Zeng
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2021/12/20
Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
L. Sang
;
Y.X. Niu
;
Y.W. He
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
M. Guan
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2021/11/26
Effect of C/Si ratio on growth of 4H-SiC epitaxial layers on on-axis and 4° off-axis substrates
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125362
作者:
G.G. Yan
;
Y.W. He
;
Z.W. Shen
;
Y.X. Cui
;
J.T. Li
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
X.F. Liu
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/11/26
Analysis of growth rate and crystal quality of AlN epilayers by flow-modulated metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 卷号: 137, 页码: 106336
作者:
Fangzheng Li
;
Lianshan Wang
;
Weizhen Yao
;
Yulin Meng
;
Shaoyan Yang
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/12/16
VGF growth of high quality InAs single crystals with low dislocation density
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125350
作者:
Jun Yang
;
Wei Lu
;
Manlong Duan
;
Hui Xie
;
Guiying Shen
;
Jingmin Liu
;
Zhiyuan Dong
;
Youwen Zhao
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2021/12/16
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