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Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element 专利
专利号: US7141444, 申请日期: 2006-11-28, 公开日期: 2006-11-28
作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  TEZEN, YUTA;  YAMASHITA, HIROSHI;  NAGAI, SEIJI;  HIRAMATSU, TOSHIO
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Method of fabricating a semiconductor structure having quantum wires and a semiconductor device including such structure 专利
专利号: US6696372, 申请日期: 2004-02-24, 公开日期: 2004-02-24
作者:  WANG, BENZHONG;  CHUA, SOO JIN
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Optical semiconductor element 专利
专利号: US6057561, 申请日期: 2000-05-02, 公开日期: 2000-05-02
作者:  KAWASAKI, MASASHI;  KOINUMA, HIDEOMI;  OHTOMO, AKIRA;  SEGAWA, YUSABURO;  YASUDA, TAKASHI
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結晶成長方法 专利
专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
作者:  近藤 正彦;  皆川 重量;  梶村 俊
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半導体発光装置 专利
专利号: JP2557040B2, 申请日期: 1996-09-05, 公开日期: 1996-11-27
作者:  石橋 晃;  森 芳文
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Method for producing a group II-VI compound semiconductor thin film and a group II-VI compound semiconductor device 专利
专利号: US5508522, 申请日期: 1996-04-16, 公开日期: 1996-04-16
作者:  NAKANISHI, KENJI;  KITAGAWA, MASAHIKO;  TOMOMURA, YOSHITAKA;  HIRATA, SHINYA
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Semiconductor structure and semiconductor laser device 专利
专利号: JP1991179790A, 申请日期: 1991-08-05, 公开日期: 1991-08-05
作者:  KONDO MASAHIKO
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Method of forming hetero-epitaxial struc- ture and device manufactured by the same 专利
专利号: JP1991116796A, 申请日期: 1991-05-17, 公开日期: 1991-05-17
作者:  RARUFU ANDORE ROOGAN;  TAUII TAABANNEKU;  HENRITSUKU TEMUKIN
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Diffraction grating and semiconductor laser 专利
专利号: JP1990201991A, 申请日期: 1990-08-10, 公开日期: 1990-08-10
作者:  MIYAZAWA SEIICHI
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Manufacture of semiconductor structure 专利
专利号: JP1989232715A, 申请日期: 1989-09-18, 公开日期: 1989-09-18
作者:  FUKUZAWA TADASHI;  ITO KAZUHIRO;  NAKAMURA HITOSHI;  MATSUDA HIROSHI
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