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Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H; Gan HD; Zheng HZ; Lu J; Zhu H; Ji Y; Li GR; Zhao JH
收藏  |  浏览/下载：63/5  |  提交时间：2011/07/05
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:  Li MF
收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain 期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J; Tan, PH; Zhao, WJ; Lu, J; Zhao, JH
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：61/4  |  提交时间：2011/07/05
Mechanical and chemical bonding properties of ground state BeH2 期刊论文
european physical journal b, 2010, 卷号: 74, 期号: 3, 页码: 303-308
Wang BT; Zhang P; Shi HL; Sun B; Li WD
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/28
Optical properties of UO2 and PuO2 期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 400, 期号: 2, 页码: 151-156
Shi HL (Shi Hongliang); Chu MF (Chu Mingfu); Zhang P (Zhang Ping)
收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/06/18
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:  Wang Y;  Pan JQ
收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/03/08
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study 期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：164/21  |  提交时间：2010/03/08
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD
收藏  |  浏览/下载：92/14  |  提交时间：2010/03/08

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