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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on the electrical properties of SOI-LIGBT 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 卷号: 175, 期号: 1, 页码: 1-7 作者:  Yang, GG (Yang, Guangan)[ 1 ];  Wu, WR (Wu, Wangran)[ 1 ];  Zhang, XY (Zhang, Xingyao)[ 2 ];  Tang, PY (Tang, Pengyu)[ 1 ];  Yang, J (Yang, Jing)[ 1 ] 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/03/15 SOI-LIGBT  Total-ionizing-dose  Radiation  Degradation   Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1;  Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1;  Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2021/08/06 Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability   Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1;  He, CF (He, Chengfa) 1;  Guo, Q (Guo, Qi) 1 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2021/12/06 Threshold voltage  TestingMOSFET circuits  Transistors  Standards  Logic gates  Fluctuations  Buried oxide (BOX)  silicon-on-insulator (SOI)  total ionizing dose (TID)   The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558 作者:  Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/07/06 Total ionizing dose  h-shape gate  channel width  partially depleted   130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文 核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52 作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/03 辐照传感器  基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管  剂量计