QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  MOCVD  Si(111)  AlN  VAPOR-PHASE EPITAXY  LAYERS  SUBSTRATE  MOCVD  STRESS   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS   Microstructure and electrical properties of Y(NO(3))(3)center dot 6H(2)O-doped ZnO-Bi(2)O(3)-based varistor ceramics 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 38, 页码: 9312-9317 Xu D; Cheng XN; Yuan HM; Yang J; Lin YH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 ZNO-BASED VARISTORS  ZNO-PR6O11-BASED VARISTORS  SINTERING TEMPERATURE  DIELECTRIC-PROPERTIES  BI2O3 VAPORIZATION  RELEVANT PARAMETER  COOLING RATE  STABILITY  VOLTAGE  OXIDE