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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Mode Analysis for Equilateral-Triangle-Resonator Microlasers with Metal Confinement Layers 期刊论文 ieee journal of quantum electronics, 2009, 卷号: 45, 期号: 12, 页码: 1529-1536 Yang, YD (Yang, Yue-De); Huang, YZ (Huang, Yong-Zhen); Wang, SJ (Wang, Shi-Jiang) 收藏  |  浏览/下载：215/48  |  提交时间：2010/03/08 Equilateral triangle resonator (ETR)   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  BAND-GAP  GROWTH  SURFACES   Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102 作者:  Su SJ;  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：51/1  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS  DEPENDENCE  SILICON  GAP