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福建物质结构研究所 [2]
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期刊论文 [2]
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2009 [2]
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The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 618-626
S. D. Wu, Z. Huang, Y. Liu, Q. F. Huang, W. Guo and Y. G. Cao
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提交时间:2012/11/06
Indium segregation
Transfer matrix method
Exciton binding energy
Exciton oscillator strength
molecular-beam-epitaxy
surface segregation
electric-field
ingaas
layers
growth
atoms
profile
matrix
The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 618-626
S. D. Wu, Z. Huang, Y. Liu, Q. F. Huang, W. Guo and Y. G. Cao
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提交时间:2012/11/06
Indium segregation
Transfer matrix method
Exciton binding energy
Exciton oscillator strength
molecular-beam-epitaxy
surface segregation
electric-field
ingaas
layers
growth
atoms
profile
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