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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoconductivity of InN grown by MOVPE: Low temperature and weak light illumination 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 4 作者:  Kang TT;  Zhang YH;  Chen PP;  Wang ZH;  Yamamoto A 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2018/11/20 NEGATIVE PHOTOCONDUCTIVITY  INDIUM NITRIDE