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Magneto-transport property of an AlInN/AlN/GaN heterostructure 期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2019, 卷号: 562, 期号: 无, 页码: 112-115
作者:  Xie X. J.;  Gao K. H.;  Li S.;  Zhou D. B.;  Zhou W. Z.
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Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches 期刊论文
J. Electron. Mater, 2013, 卷号: 42, 期号: 11
Z.H. YE; W.D. HU; W. LEI; W. LU; L. HE; L. YANG; P. ZHANG; Y. HUANG; C. LIN; C.H. SUN; X.N. HU; R.J. DING; X.S. CHEN
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The effective g-factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well investigated by magnetotransport measurement 期刊论文
J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 3
作者:  X.Z.Liu Y.G.Xu G.Yu L.M.Wei T.Lin S.L.Guo J.H.Chu W.Z.Zhou Y.G.ZhangandDavidJ.Lockwood
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The nonlinear Rashba effect in Hg0.77Cd0.23Te inversion layers probed by weak antilocalization analysis 期刊论文
J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 1
作者:  X.Z.Liu G.Yu L.M.Wei T.Lin Y.G.Xu J.R.Yang Y.F.Wei S.L.Guo J.H.Chu N.L.RowellandD.J.Lockwood
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Microwave-enhanced dephasing time in a HgCdTe film 期刊论文
Appl.Phys.Lett, 2013, 卷号: 102, 期号: 1
L.M.Wei K.H.Gao X.Z.Liu G.Yu Q.W.Wang T.Lin S.L.Guo Y.F.Wei J.R.Yang L.He N.Dai J.H.Chu and D.G.Austing
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Anomalous spin-orbit coupling in high-density two-dimensional electron gas confined in InGaAs/InAlAs quantum well 期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2012, 卷号: 152, 期号: 12
作者:  Gao, KH;  Lin, T;  Wei, LM;  Liu, XZ;  Chen, X
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The important features of V-Hg-related defects in arsenic-doped HgCdTe 期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2012, 卷号: 152, 期号: 18
作者:  Duan, H;  Dong, YZ;  Lin, ZP;  Huang, Y;  Chen, XS
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Fabrication of Gold Microelectrodes on a Glass Substrate by Femtosecond-Laser-Assisted Electroless Plating 期刊论文
JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING, 2012, 卷号: 7, 期号: 3
作者:  Song, JX;  Liao, Y;  Liu, CN;  Lin, D;  Qiao, LL
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Sequential coupling transport for the dark current of quantum dots-in-well infrared photodetectors 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97
作者:  L. Lin, H. L. Zhen,1 N. Li,1 W. Lu, Q. C. Weng, D. Y. Xiong, F. Q. Liu
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Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108
作者:  K. H. Gao,1,2 G. Yu,2,a Y. M. Zhou,2 L. M. Wei,2 T. Lin,2 L. Y. Shang,1,2 L. Sun,2 R. Yang,2 W. Z. Zhou,N. Dai,J. H. Chu,D. G. Austing,Y. Gu,Y. G. Zhang
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