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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Large-capacity and low-loss integrated optical buffer 期刊论文 Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 11585 作者:  Dapeng Liu;   Shuqian Sun;   Xiaojie Yin;   Bingli Sun;   Jingwen Sun;   Yang Liu;   Wei Li;   Ninghua Zhu;   Ming Li 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/08/05 High performance AlGaNGaN power switch with Si3N4 Insulation 期刊论文 the european physical journal applied physics, 2013, 卷号: 61, 期号: 1, 页码: 10101 Lin, Defeng; Wang, Xiaoliang; Xiao, Hongling; Kang, He; Wang, Cuimei; Jiang, Lijuan; Feng, Chun; Chen, Hong; Deng, Qingwen; Bi, Yang; Zhang, Jingwen; Hou, Xun 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/03/18 A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102 Ding JQ (Ding, Jieqin); Wang XL (Wang, Xiaoliang); Xiao HL (Xiao, Hongling); Wang CM (Wang, Cuimei); Chen H (Chen, Hong); Bi Y (Bi, Yang); Deng QW (Deng, Qinwen); Zhang JW (Zhang, Jingwen); Hou X (Hou, Xun) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/03/26 A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102 Ding, Jieqin; Wang, Xiaoliang; Xiao, Hongling; Wang, Cuimei; Chen, Hong; Bi, Yang; Deng, Qinwen; Zhang, Jingwen; Hou, Xun 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/04/19