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Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105
作者:
Yang, J.
;
Wang, B. B.
;
Zhao, D. G.
;
Liu, Z. S.
;
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhang, Y. H.
;
Zhang, Z. Z.
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提交时间:2022/03/24
Suppression the formation of V-pits in InGaN/ GaN multi-quantum well growth and its effect on the performance of GaN based laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2020, 卷号: 822, 页码: 153571
作者:
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
F. Liang
;
S.T. Liu
;
Y. Xing
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提交时间:2021/06/17
Interface-driven unusual anomalous Hall effect in Mn x Ga/Pt bilayers
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2019, 卷号: 100, 页码: 184410
作者:
K. K. Meng
;
L. J. Zhu
;
Z. H. Jin
;
E. K. Liu
;
X. P. Zhao
;
I. A. Malik
;
Z. G. Fu
;
Y. Wu
;
J. Miao
;
X. G. Xu
;
J. X. Zhang
;
J. H. Zhao
;
Y. Jiang
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2020/08/04
Effect of Mg doping concentration of electron blocking layer on the performance of GaN‑based laser diodes
期刊论文
Applied Physics B, 2019, 卷号: 125, 页码: 235
作者:
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
F. Liang
;
S. T. Liu
;
Y. Xing
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/07/31
The compensation role of deep defects in the electric properties of lightly Si-doped GaN
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 773, 页码: 1182-1186
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
W. Liu
;
Y. Xing
;
L.Q. Zhang
;
M. Li
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/07/31
Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 060407
作者:
K. K. Meng
;
X. P. Zhao
;
P. F. Liu
;
Q. Liu
;
Y. Wu
;
Z. P. Li
;
J. K. Chen
;
J. Miao
;
X. G. Xu
;
J. H. Zhao
;
Y. Jiang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/11/12
Valley Zeeman splitting of monolayer MoS 2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature
期刊论文
Applied Physics Letters, 2018, 卷号: 112, 期号: 15, 页码: 153105
作者:
Y. J. Wu
;
C. Shen
;
Q. H. Tan
;
J. Shi
;
X. F. Liu
;
Z. H. Wu
;
J. Zhang
;
P. H. Tan
;
H. Z. Zheng
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提交时间:2019/11/18
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
期刊论文
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
W. Liu
;
Y. Xing
;
L.Y. Peng
;
L.Q. Zhang
;
W.J. Wang
;
M. Li
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/11/19
Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 690-695
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
W. Liu
;
Y. Xing
;
L.Q. Zhang
;
W.J. Wang
;
M. Li
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/11/19
Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
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提交时间:2018/07/11
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