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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Revised ab initio natural band offsets of all group iv, ii-vi, and iii-v semiconductors 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 21, 页码: 3 作者:  Li, Yong-Hua;  Walsh, Aron;  Chen, Shiyou;  Yin, Wan-Jian;  Yang, Ji-Hui 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Ab initio calculations  Band structure  Cadmium compounds  Iii-v semiconductors  Ii-vi semiconductors  Iv-vi semiconductors  Zinc compounds   Confined lo-phonon-assisted magnetotunneling in a parabolic quantum well with double barriers 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 2664-2670 作者:  Gong, J.;  Liang, X. X.;  Ban, S. L. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Lo-phonon  Magnetotunneling  Parabolic quantum well   Dynamics of spin-dependent tunneling through a semiconductor double-barrier structure 期刊论文 Journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: 6 作者:  Gong, J.;  Liang, X. X.;  Ban, S. L. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 The effects of lt aln buffer thickness on the properties of high al composition algan epilayers 期刊论文 Materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696 作者:  Wang, X. L.;  Zhao, D. G.;  Li, X. Y.;  Gong, H. M.;  Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan  Lt aln  Taxrd  Dislocation   Effect of oxidation on the optical and surface properties of algan 期刊论文 Applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8706-8709 作者:  Wang, X. L.;  Zhao, D. G.;  Chen, J.;  Li, X. Y.;  Gong, H. M. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Oxidation  Algan  Surface morphology   Morphological defects and uniformity issues of 4h-sic homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)si faces 期刊论文 Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278 作者:  Sun, G. S.;  Liu, X. F.;  Gong, Q. C.;  Wang, L.;  Zhao, W. S. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 4h-sic  Homoepitaxial layers  Surface morphological defect  Optical microscopy   Effect of oxidation on the optical and surface properties of AlGaN 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8706-8709 Wang XL (Wang X. L.); Zhao DG (Zhao D. G.); Chen J (Chen J.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/04/11 oxidation  AlGaN  surface morphology  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  HIGH-POWER  GAN  OXIDE   The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers 期刊论文 materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696 Wang XL (Wang X. L.); Zhao DG (Zhao D. G.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN  LT AlN  TAXRD  dislocation   Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278 Sun GS (Sun G. S.); Liu XF (Liu X. F.); Gong QC (Gong Q. C.); Wang L (Wang L.); Zhao WS (Zhao W. S.); Li JY (Li J. Y.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Li JM (Li J. M.) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11 4H-SiC  homoepitaxial layers  surface morphological defect  optical microscopy  SILICON-CARBIDE  DISLOCATIONS  FILMS   Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101 Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON-BEAM  VACANCIES