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半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2018 [1]
2012 [1]
2008 [1]
学科主题
光电子学 [1]
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Fast Growth of Strain-Free AlN on Graphene-Buffered Sapphire
期刊论文
Journal of the American Chemical Society, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
作者:
Yue Qi
;
Yunyu Wang
;
Zhenqian Pang
;
Zhipeng Dou
;
Tongbo Wei
;
Peng Gao
;
Shishu Zhang
;
Xiaozhi Xu
;
Zhenghua Chang
;
Bing Deng
;
Shulin Chen
;
Zhaolong Chen
;
Haina Ci
;
Ruoyu Wang
;
Fuzhen Zhao
;
Jianchang Yan
;
Xiaoyan Yi
;
Kaihui Liu
;
Hailin Peng
;
Zhi
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提交时间:2019/11/19
Optical and Electrical Properties of Single-Crystal Si Supersaturated with Se by Ion Implantation
期刊论文
chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 097101
Mao X (Mao Xue)
;
Han PD (Han Pei-De)
;
Hu SX (Hu Shao-Xu)
;
Gao LP (Gao Li-Peng)
;
Li XY (Li Xin-Yi)
;
Mi YH (Mi Yan-Hong)
;
Liang P (Liang Peng)
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提交时间:2013/04/02
Influence of v/iii ratio on the structural and photoluminescence properties of in0.52alas/in0.53gaas metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
作者:
Gao Hong-Ling
;
Zeng Yi-Peng
;
Wang Bao-Qiang
;
Zhu Zhan-Ping
;
Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
High electron mobility transistors
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