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Tunable bandgap in hybrid perovskite CH3NH3Pb(Br3−yXy) single crystals and photodetector applications 期刊论文
AIP Advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 045115
L. Wang; G. D. Yuan; R. F. Duan; F. Huang; T. B. Wei; Z. Q. Liu; J. X. Wang; J. M. Li
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Structural, elastic, electronic and dynamical properties of Ba2MgWO6 double perovskite under pressure from first principles 期刊论文
european physical journal b, 2013, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 9
Shi, Liwei; Wu, L.; Duan, Y. F.; Hu, J.; Yang, X. Q.; Tang, G.
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Anomalous circular photogalvanic effect of the spin-polarized two-dimensional electron gas in Mg0.2Zn0.8O/ZnO heterostructures at room temperature 期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192405 - 192405-4
J. X. Duan, N. Tang, J. D. Ye, F. H. Mei, K. L. Teo, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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Observation of the photoinduced anomalous hall effect in gan-based heterostructures 期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 3
作者:  Yin, C. M.;  Tang, N.;  Zhang, S.;  Duan, J. X.;  Xu, F. J.
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching 期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:  Wei, T. B.;  Yang, J. K.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Huo, Z. Q.
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Cl  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  
Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure 期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3
作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Yan, J. C.;  Wang, J. X.;  Zeng, Y. P.
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Hydride vapor phase epitaxy growth of semipolar, 10(1)over-bar(3)over-bargan on patterned m-plane sapphire 期刊论文
Journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: H721-h726
作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Yang, J. K.
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Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire 期刊论文
journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726
Wei TB (Wei T. B.); Hu Q (Hu Q.); Duan RF (Duan R. F.); Wei XC (Wei X. C.); Yang JK (Yang J. K.); Wang JX (Wang J. X.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang GH (Wang G. H.); Li JM (Li J. M.)
收藏  |  浏览/下载：292/52  |  提交时间：2010/06/18
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar gan on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Huo, Z. Q.
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Strain status in zno film on sapphire substrate with a gan buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544
作者:  Cui, J. P.;  Duan, Y.;  Wang, X. F.;  Zeng, Y. P.
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