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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Performance of an embedded optical vector matrix multiplication processor architecture 期刊论文 iet optoelectronics, 2010, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 159-164 Yang C (Yang C.); Cui GX (Cui G. X.); Huang YY (Huang Y. Y.); Wu L (Wu L.); Yang H (Yang H.); Zhang YH (Zhang Y. H.) 收藏  |  浏览/下载：548/53  |  提交时间：2010/09/07 Cleaved-edge overgrowth of aligned inas islands on gaas(110) 期刊论文 Nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 2661-2664 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Zhao, C;  Jin, P;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 A novel method for positioning of inas islands on gaas(110) 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Zhang, CL;  Jin, P;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas island  Gaas (110)  Cleaved edge overgrowth  Ingaas/gaas superlattice  Mbe   A novel method for positioning of InAs islands on GaAs(110) 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：150/42  |  提交时间：2010/03/17 InAs island   The structural and photoluminescence character of InAs quantum dots grown on a combined InAlAs and GaAs strained buffer 期刊论文 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1791-1794 Shi, GX; Xu, B; Jin, P; Ye, XL; Cui, CX; Zhang, CL; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/17 quantum dots  strain buffer layer  InAs  photoluminescence  WELL  LASER  LAYER   Cleaved-edge overgrowth of aligned InAs islands on GaAs(110) 期刊论文 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 2661-2664 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：132/28  |  提交时间：2010/03/17 QUANTUM DOTS   The structural and photoluminescence character of inas quantum dots grown on a combined inalas and gaas strained buffer 期刊论文 Pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, pts 1-5, 2005, 卷号: 475-479, 页码: 1791-1794 作者:  Shi, GX;  Xu, B;  Jin, P;  Ye, XL;  Cui, CX 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Strain buffer layer  Inas  Photoluminescence   Thermal annealing effect on inas/ingaas quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186 作者:  Shi, GX;  Jin, P;  Xu, B;  Li, CM;  Cui, CX 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum dots  Semiconductor iii-v material  Laser device   Thermal annealing effect on InAs/InGaAs quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186 作者:  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：185/45  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   Molecular-beam epitaxial growth of position controlled InAs islands on cleaved edge of InGaAs/GaAs superlattice 会议论文 13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：127/16  |  提交时间：2010/03/29 QUANTUM DOTS