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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1.2 kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT的结构设计及特性研究 期刊论文 2019, 页码: 163-168 作者:  马丽;  康源;  李旖晨;  王云飞;  王馨梅 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 RC-IGBT  电压折回  氧化槽  恢复损耗   氧化槽隔离型RC-IGBT的设计与仿真 期刊论文 2017, 页码: 195-200 作者:  马丽;  李伟;  李佳豪;  谢加强;  康源 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20 逆导型绝缘栅双极场效应晶体管  回跳现象  器件仿真   两种新结构SiGe/Si功率二极管特性模拟 期刊论文 2004, 卷号: 24, 页码: 168-172,228 作者:  祁慧;  高勇;  余宁梅;  马丽;  安涛 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/25 锗硅/硅异质结  pin二极管  渐变掺杂  Medici模拟   i基区渐变掺杂SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性模拟 期刊论文 2003, 卷号: 9, 页码: 437-442 作者:  祁慧;  高勇;  余宁梅;  马丽;  安涛 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/25 SiGe/Si异质结  PIN二极管  渐变掺杂  Medici  软恢复