中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

安徽大学 [18]

内容类型

期刊论文 [18]

发表日期

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条

帮助

限定条件	专题：安徽大学第一署名单位第一作者单位通讯作者单位

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	Radical Carbofluorination of Unactivated Alkenes with Fluoride Ions(Article) 期刊论文 Journal of the American Chemical Society, 2018, 卷号: Vol.140 No.19, 页码: 6169-6175 作者: Yu, H.-Z.; Shen, H.; Chen, H.; Li, C.; Liu, Z. 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/04/24
	Design and implementation of an eye gesture perception system based on electrooculography(Article) 期刊论文 Expert Systems with Applications, 2018, 卷号: Vol.91, 页码: 310-321 作者: Gao, X.; Zhou, B.; Wu, X.; Lv, Z. 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/04/24 Common spatial pattern Electrooculography Eye gesture Joint approximate diagonalization Support vector machine Unit saccadic signals
	Interface quality modulation, band alignment modification and optimization of electrical properties of HfGdO/Ge gate stacks by nitrogen incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.695, 页码: 2199-2206 作者: Lv,J. G.; Fang,Z. B.; Sun,Z. Q.; Liu,M.; Gao,J. 收藏 \| 浏览/下载：9/0 \| 提交时间：2019/04/22 OXIDES DIELECTRICS TRANSISTORS DEPENDENCE CHEMISTRY HFO2
	Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.699, 页码: 415-420 作者: Li,W. D.; Lv,J. G.; Jin,P.; Xiao,D. Q.; Wang,P. H. 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/04/22 THIN-FILM TRANSISTORS HIGH-PERFORMANCE LOW-TEMPERATURE HYBRID FILMS FABRICATION DEPOSITION CONSTANT OXIDES STACK HFO2
	Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.691, 页码: 504-513 作者: Lv,J. G.; Jin,P.; Xiao,D. Q.; Zheng,C. Y.; Chen,X. S. 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/04/22 PULSED-LASER DEPOSITION THERMAL-STABILITY BAND ALIGNMENT DIELECTRICS SILICON OXIDE HFO2 SUBSTRATE BARRIER MEMORY
	Nitrogen-concentration modulated interface quality, band alignment and electrical properties of HfTiON/Ge gate stack pretreated by trimethylaluminum precursor 期刊论文 Materials Research Bulletin, 2017, 卷号: Vol.91, 页码: 166-172 作者: Lv,J. G.; Xiao,D. Q.; Cheng,C.; Sun,Z. Q.; Gao,J. 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/04/22 GE SUBSTRATE OXIDES
	Selective Radical Fluorination of Tertiary Alkyl Halides at Room Temperature(Article) 期刊论文 Angewandte Chemie - International Edition, 2017, 卷号: Vol.56 No.48, 页码: 15411-15415 作者: Yu, H.-Z.; Shen, H.; Chen, H.; Li, C.; Liu, Z. 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/04/24 alkyl halides fluorination halogen exchange radicals synthetic methods
	A novel saccade signals detection algorithm for EOG-based Human Activity Recognition 期刊论文 BIOINFORMATICS AND BIOMEDICAL ENGINEERING: NEW ADVANCES, 2016, 页码: 67-73 作者: Lv,Z.; Wu,X. P.; Guan,J. N.; Zhou,B. Y. 收藏 \| 浏览/下载：9/0 \| 提交时间：2019/04/22 EOG saccade signals Common Spatial Pattern joint approximate diagonalization Support Vector Machine
	Microstructure, optical and electrical properties of sputtered HfFiO high-k gate dielectric thin films 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: Vol.42 No.10, 页码: 11640-11649 作者: Lv,J. G.; Li,W. D.; Jin,P.; Liu,Y. M.; Xiao,D. Q. 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/04/22 ANNEALING TEMPERATURE PHYSICAL-PROPERTIES BAND ALIGNMENT HFO2 MODULATION CAPACITORS STACKS TIO2
	Comparison of microstructure and electrical characteristics of sputtering-derived HfGdO/HfTiO and HfTiO/HfGdO gate stacks 期刊论文 Ceramics International, 2015, 卷号: Vol.41 No.8, 页码: 10216-10221 作者: Lv,J. G.; Zhang,J. W.; Sun,Z. Q.; Liu,M.; Ma,R. 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/04/22 THIN-FILM-TRANSISTOR DEPOSITION HFO2 DIELECTRICS MECHANISMS DEVICES LAYER

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace