QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, 2018 作者:  Shan Tang;  Tao GL(陶桂龙);  Li JF(李俊峰);  Zhu HL(朱慧珑);  Wang XL(王晓磊) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/20