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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Catalytic growth of highly crystalline polyaniline by copper under ambient conditions 期刊论文 CRYSTENGCOMM, 2018 作者:  Huang, Zhaoming;  Huang, Jinbo;  Meng, Qinggang;  Zheng, Lijun;  Gao, Junning 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/03/27 Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文 ACS PHOTONICS, 2018 作者:  Li, Dabing;  Yang, Hui(杨辉);  Zheng, Xinhe;  Ikeda, Masao;  Wang, Huaibing(王怀兵) 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2019/03/27 Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017 作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/02/06 Preparation of Three-dimensional Nitrogen-doped Carbon Nanoribbon and Application in Lithium/Sulfur Batteries 期刊论文 ACTA CHIMICA SINICA, 2017 作者:  Li Wanfei(李宛飞);  Ma Qian;  Zheng Zhaozhao(郑召召);  Zhang Yuegang(张跃钢) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/02/05 High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 12 作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/03/11