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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-resistivity unintentionally carbon-doped GaN layers with nitrogen as nucleation layer carrier gas grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 AIP ADVANCES, 2017 作者:  Chen, F;  Sun, SC;  Deng, XG（邓旭光）;  Fu, K（付凯）;  Yu, GH（于国浩） 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/05 AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1 作者:  Sun, SC;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, ZL;  Song, L 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 671 作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2017/03/11 Growths of Fe-doped GaN high-resistivity buffer layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 1 作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2017/03/11 Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11 Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2015/12/31 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  standard fluorine ion implantation  normally off