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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Wafer-Level Light Emitting Diode (WL-LED) Chip Simplified Package for Very-High Power Solid-State Lighting (SSL) Source 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 2 作者:  Zhang, YB;  Xu, JW;  Ding, MD;  Zhao, DS;  Huang, HJ 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11 Demonstration of wafer-level light emitting diode with very high output power 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2014, 卷号: 50, 期号: 25, 页码: 1970-1971 作者:  Cai, Y (蔡勇);  Huang, HJ (黄宏娟);  Zhang, BS (张宝顺);  Zhao, DS (赵德胜) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/02/03 A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 747-749 作者:  Cai, Y(蔡勇);  Zhao, DS(赵德胜);  Qin, H(秦华);  Zhang, BS(张宝顺);  Zeng, CH(曾春红) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/12/30 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  dynamic performance  power device