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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Deep level defects in high temperature annealed InP 期刊论文 SCIENCE IN CHINA SERIES E-ENGINEERING & MATERIALS SCIENCE, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 320-326 作者:  Dong, ZY;  Zhao, YM;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 InP  defects  annealing ambience   Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 作者:  Dong, ZY;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Sun, WR 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide