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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：武汉理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Doping Nanoscale Graphene Domains Improves Magnetism in Hexagonal Boron Nitride. 期刊论文 Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 2019, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: e1805778 作者:  Fan, Mengmeng;  Wu, Jingjie*;  Yuan, Jiangtan;  Deng, Liangzi;  Zhong, Ning 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/04 bandgap  graphene quantum dots  heterostructures  hexagonal boron nitride  magnetism