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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microstructure characterization of lattice defects induced by As ion implantation in HgCdTe epilayers 会议论文 作者:  Shi CZ;  Lin C;  Wei YF;  Chen L 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/11/20 Dependence of Ion-Implant-Induced LBIC Novel Characteristic on Excitation Intensity for Long-Wavelength HgCdTe-Based Photovoltaic Infrared Detector Pixel Arrays 期刊论文 IEEE J SEL TOP QUANT, 2013, 卷号: 19, 期号: 5 作者:  Wei-DaHu;  Xiao-ShuangChen;  Zhen-HuaYe;  A-LiFeng;  FeiYin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/11/10 Laserbeaminducedcurrent  Hgcdtelongwave  Infrareddetector  Junctiontransformation  Devicesimulation   Polarity inversion and coupling of laser beam induced current in As-doped long-wavelength HgCdTe infrared detector pixel arrays: Experiment and simulation 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 18 作者:  Hu, WD;  Chen, XS;  Ye, ZH;  Chen, YG;  Yin, F 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/03/18 Effects of P implantation and post-implantation annealing on defect formation in ZnO 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 4 作者:  Wang, XJ;  Chen, WM;  Ren, F;  Pearton, S;  Buyanova, IA 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/18 Effect of Mn+ ion implantation on the Raman spectra of ZnO 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2006, 卷号: 99 作者:  Hongmei Zhong;  Jinbing Wang;  Xiaoshuang Chen;  Zhifeng Li;  Wenlan Xu 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/10/21