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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Feasibility analysis of junction temperature measurement for GaN-based high-power white LEDs by the Peak-Shift Method 期刊论文 Chinese Optics Letters, 2013, 卷号: 0, 期号: 9 作者:  Jingjing Zhang;  Tao Zhang;  Shishen Liu;  Shidong Yuan;  Yafang Jin 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2014/11/05 Junction  Impedance  Currents  Selecting  Tester  Initially  Created  Pulsed  Spectrometer  Driving   An Improvement on the Junction Temperature Measurement of Light-Emitting Diodes by using the Peak Shift Method Compared with the Forward Voltage Method 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 12 作者:  He, SM;  Luo, XD;  Zhang, B;  Fu, L;  Cheng, LW 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/18 Optimal number of quantum wells for blue InGaN/GaN light-emitting diodes 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 26 作者:  Xia, CS;  Li, ZMS;  Li, ZQ;  Sheng, Y;  Zhang, ZH 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/03/18