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| Dim point target enhancement and detection based on improved NL-means in complex background 会议论文
作者: Lv PY; Lin CQ
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| High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5
作者: Xu ZC; Chen JX; Wang FF; Zhou Y; He L
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| 基于Lattice-Boltzmann方法的多孔介质真空绝热特性 期刊论文
南京航空航天大学学报, 2017, 期号: 1, 页码: 17-23
作者: 阚安康; 吴亦农; 徐志峰; 张安阔; 王为
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| The Development of the Infrared Technology for Meteorological Satellites in Shanghai Institute of Technical Physics 会议论文
作者: Lu W
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2018/11/20 |
| Extended Wavelength InGaAs SWIR FPAs with High Performance 会议论文
作者: Li X; Li T; Yu CL; Tang HJ; Deng SY
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| Microstructure characterization of lattice defects induced by As ion implantation in HgCdTe epilayers 会议论文
作者: Shi CZ; Lin C; Wei YF; Chen L
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2018/11/20 |
| Far infrared reflection spectra of InAsxSb1-x (x=0-0.4) thin films 期刊论文
J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 21
作者: L.Huang Z.F.Li P.P.Chen Y.H.ZhangandW.Lu
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| Band gap tuning in HgTe through uniaxial strains 期刊论文
Solid State Commun., 2013, 卷号: 166, 期号: 0
作者: HuxianZhao XiaoshuangChen JianpingLu HaiboShu WeiLu
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2014/11/10
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| Effect of thermal stress on the performance of HgCdTe/Si diodes and FPAs 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 27, 期号: 11
作者: Zhang, S; Hu, XN
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2013/03/18 |
| Ferroelectric and dielectric properties of 0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.38PbTiO(3) thin films on La0.6Sr0.4CoO3 buffered Si substrates 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2012, 卷号: 529, 期号: 0
作者: Tang, YX; Zhou, D; Wang, FF; Sun, DZ; Shi, WZ
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2013/03/18 |
