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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microstructure and electrical properties of Y(NO(3))(3)center dot 6H(2)O-doped ZnO-Bi(2)O(3)-based varistor ceramics 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 38, 页码: 9312-9317 Xu D; Cheng XN; Yuan HM; Yang J; Lin YH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 ZNO-BASED VARISTORS  ZNO-PR6O11-BASED VARISTORS  SINTERING TEMPERATURE  DIELECTRIC-PROPERTIES  BI2O3 VAPORIZATION  RELEVANT PARAMETER  COOLING RATE  STABILITY  VOLTAGE  OXIDE   Behavior of pentacene initial nucleation on various dielectrics and its effect on carrier transport in organic field-effect transistor 期刊论文 Journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7103-7107 作者:  Qi, Qiong;  Yu, Aifang;  Wang, Liangmin;  Jiang, Chao 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Organic field-effect transistor  Dielectric surface energy  Initial nucleation  Mobility  Grain size   Behavior of Pentacene Initial Nucleation on Various Dielectrics and Its Effect on Carrier Transport in Organic Field-Effect Transistor 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7103-7107 Qi QO (Qi Qiong); Yu AF (Yu Aifang); Wang LM (Wang Liangmin); Jiang C (Jiang Chao) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/30 Organic Field-Effect Transistor  Dielectric Surface Energy  Initial Nucleation  Mobility  Grain Size   Development of high-k gate dielectric materials 期刊论文 journal of inorganic materials, 2008, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 865-871 Wu DQ; Zhao HS; Yao JC; Zhang DY; Chang AM 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/03/08 high-K gate dielectrics   Effect of the oxygen concentration on the properties of gd2o3 thin films 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 548-552 作者:  Li, YL;  Chen, NF;  Zhou, JP;  Song, SL;  Liu, LF 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Dielectric constant  X-ray diffraction  Magnetron sputtering  Gadolinium oxide   Photoluminescence behaviors from stoichiometric gadolinium oxide films 期刊论文 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 7, 页码: 4414-4419 作者:  Zhou, JP;  Chai, CL;  Yang, SY;  Liu, ZK;  Song, SL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence behaviors from stoichiometric gadolinium oxide films 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 7, 页码: 4414-4419 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Chen NF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：366/14  |  提交时间：2010/08/12 INTERFACIAL LAYER FORMATION  GATE DIELECTRICS GD2O3  ION-BEAM  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SILICON  SI  GAAS(100)  CONSTANTS  EUROPIUM  YTTRIUM