QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Transport phenomena in radial flow mocvd reactor with three concentric vertical inlets 期刊论文 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508 作者:  Zuo, Ran;  Zhang, Hong;  Liu, Xiang-lin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Flow recirculation  Numerical modeling  Reactor  Transport process  Mocvd  Thin film growth   Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508 Zuo R (Zuo Ran); Zhang H (Zhang Hong); Liu XL (Liu Xiang-lin) 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 flow recirculation  numerical modeling  reactor  transport process  MOCVD  thin film growth  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  MOVPE REACTOR  GROWTH  DESIGN  GAN