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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 X-ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic gan layers grown on (001)gaas substrate 期刊论文 Thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Liu, SA 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride  X-ray diffraction   X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate 期刊论文 thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Liu SA; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  X-ray diffraction  EPITAXY  RATIO