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半导体研究所 [49]
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期刊论文 [46]
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发表日期
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专题:半导体研究所
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Anomalous pressure behavior of n-cluster emissions in gaas0.973sb0.022n0.005
期刊论文
Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 4
作者:
Wang Wen-Jie
;
Deng Jia-Jun
;
Fu Xing-Qiu
;
Hu Bing
;
Ding Kun
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Anomalous Pressure Behavior of N-Cluster Emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: art.no.127101
Wang, WJ (Wang Wen-Jie)
;
Deng, JJ (Deng Jia-Jun)
;
Fu, XQ (Fu Xing-Qiu)
;
Hu, B (Hu Bing)
;
Ding, K (Ding Kun)
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浏览/下载:230/52
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提交时间:2010/03/08
TEMPERATURE-DEPENDENCE
New observations on the pressure dependence of luminescence from eu2+-doped mf2 (m = ca, sr, ba) fluorides
期刊论文
Journal of physical chemistry a, 2008, 卷号: 112, 期号: 21, 页码: 4772-4777
作者:
Su, Fu Hai
;
Chen, Wei
;
Ding, Kun
;
Li, Guo Hua
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
New observations on the pressure dependence of luminescence from Eu2+-doped MF2 (M = Ca, Sr, Ba) fluorides
期刊论文
journal of physical chemistry a, 2008, 卷号: 112, 期号: 21, 页码: 4772-4777
Su FH
;
Chen W
;
Ding, K
;
Li GH
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
Temperature dependence of the raman-active modes in the nonpolar a-plane gan film
期刊论文
Journal of applied physics, 2007, 卷号: 101, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Yan, Fawang
;
Gao, Haiyong
;
Zhang, Huixiao
;
Wang, Guohong
;
Yang, Fuhua
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Pressure behaviour of the uv and green emission bands in zno micro-rods
期刊论文
Physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 1, 页码: 87-92
作者:
Li, G. H.
;
Su, F. H.
;
Wang, W. J.
;
Ding, K.
;
Chen, W.
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Pressure behaviour of the UV and green emission bands in ZnO micro-rods
期刊论文
physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 1, 页码: 87-92
Li GH
;
Su FH
;
Wang WJ
;
Ding K
;
Chen W
;
Liu YF
;
Joly AG
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/29
OPTICAL-PROPERTIES
Different temperature and pressure behavior of band edge and n-cluster emissions in gaas0.973sb0.022n0.005
期刊论文
Physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 19, 页码: 6
作者:
Wang, W. J.
;
Su, F. H.
;
Ding, K.
;
Li, G. H.
;
Yoon, S. F.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
Wang JF (Wang Jian-Feng)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Zhang JC (Zhang Ji-Cai)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yao DZ (Yao Duan-Zheng)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
ALN BUFFER LAYER
NUCLEATION LAYER
PHASE EPITAXY
EVOLUTION
DENSITY
SILICON
STRESS
SI
Photoluminescence of low-dimensional semiconductor structures under pressure
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 174-178
作者:
Li, GH
;
Chen, Y
;
Fang, ZL
;
Ma, BS
;
Su, FH
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Pressure
Photoluminescence
Quantum dot
Nanoparticle
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