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半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [3]
发表日期
2019 [2]
2007 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1999 [6]
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学科主题
半导体材料 [3]
半导体化学 [1]
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Recent progress in diamond-based MOSFETs
期刊论文
International Journal of Minerals, Metallurgy, and Materials, 2019, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1195-1205
作者:
Xiao-lu Yuan
;
Yu-ting Zheng
;
Xiao-hua Zhu
;
Jin-long Liu
;
Jiang-wei Liu
;
Cheng-ming Li
;
Peng Jin
;
Zhan-guo Wang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/07/31
Recent progress in diamond-based MOSFETs
期刊论文
International Journal of Minerals, Metallurgy, and Materials, 2019, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1195-1205
作者:
Xiao-lu Yuan
;
Yu-ting Zheng
;
Xiao-hua Zhu
;
Jin-long Liu
;
Jiang-wei Liu
;
Cheng-ming Li
;
Peng Jin
;
Zhan-guo Wang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2020/07/30
Effect of temperature on structural and morphologic properties of zno films annealed in ammonia ambient
期刊论文
Journal of electronic materials, 2007, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 502-506
作者:
Xue, Shoubin
;
Zhuang, Huizhao
;
Xue, Chengshan
;
Hu, Lijun
;
Li, Baoli
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Zno films
Pulsed laser deposition (pld)
Nh3 ambient
Anneal
In-situ synthesis of AlN powders and composite AlN powders with yttrium addition
期刊论文
journal of rare earths, 2002, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 204-208
Zheng XH
;
Wang Q
;
Lin ZL
;
Li CG
;
Zhou ML
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/08/12
rare earths
alloys
in-situ synthesis
AlN powders
composite AlN powders
THERMAL-CONDUCTIVITY
ALUMINUM NITRIDE
HETEROSTRUCTURE
Indium doping effect on gan in the initial growth stage
期刊论文
Journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:
Yuan, HR
;
Lu, DC
;
Liu, XL
;
Chen, Z
;
Wang, XH
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Indium doping
Initial growth stage
Morphology
Optical transmission
Photoluminescence
Initial stages of gan/gaas (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:
Xu, DP
;
Yang, H
;
Li, JB
;
Li, SF
;
Wang, YT
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Cubic gan
Hexagonal gan
Buffer layer
Afm
Rheed
Structural and infrared absorption properties of self-organized ingaas gaas quantum dots multilayers
期刊论文
Journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 503-505
作者:
Zhuang, QD
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Pan, L
;
Chen, YH
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Ingaas gaas quantum dots
Infrared absorption
Self-organization
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled inalas quantum dots on gaas (001)
期刊论文
Journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 528-531
作者:
Zhou, W
;
Xu, B
;
Xu, HZ
;
Liu, FQ
;
Liang, JB
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Bimodal distribution
Photoluminescence (pl)
Quantum-size effect
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
double multi-quantum wells
photocurrent spectra
ZnCdSe-ZnSe
SPECTROSCOPY
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
PHOTODETECTORS
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
会议论文
40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998
作者:
Xu B
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
bimodal distribution
photoluminescence (PL)
quantum-size effect
GE
ENSEMBLES
SI(100)
GROWTH
SHAPE
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