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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X 会议论文 conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Li, Y; Yi, XY; Wang, XD; Guo, JX; Wang, LC; Wang, GH; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/09 GaN  LED  plasma  damage  etch  ICP  PECVD   Microstructures of microcrystalline silicon thin films prepared by hot wire chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 360, 期号: 1-2, 页码: 205-212 Zhu M; Guo X; Chen G; Han H; He M; Sun K 收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2010/08/12 microstructures  microcrystalline silicon  hot wire chemical vapor deposition  AMORPHOUS-SILICON  HYDROGEN  PLASMA  SPECTRA  GROWTH  SILANE   The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Fu RH; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  2DEG  MD heterostructure  MBE  photoluminescence  GAN  LUMINESCENCE  PLASMA  GALLIUM NITRIDE