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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2000 [4]
学科主题
半导体材料 [3]
半导体物理 [2]
光电子学 [1]
半导体器件 [1]
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专题:半导体研究所
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Effects of grain size on resistance and transmittance transition of vanadium oxide thin film
期刊论文
cailiao gongcheng/journal of materials engineering, 2011, 期号: 4, 页码: 58-62+74
Liang, Ji-Ran
;
Hu, Ming
;
Kan, Qiang
;
Chen, Tao
;
Liang, Xiu-Qin
;
Chen, Hong-Da
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/06/13
Annealing
Electric properties
Grain size and shape
Optical transitions
Oxide films
Oxides
Thin films
Vanadium
Vanadium alloys
Vanadium compounds
Behavior of Pentacene Initial Nucleation on Various Dielectrics and Its Effect on Carrier Transport in Organic Field-Effect Transistor
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7103-7107
Qi QO (Qi Qiong)
;
Yu AF (Yu Aifang)
;
Wang LM (Wang Liangmin)
;
Jiang C (Jiang Chao)
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/11/30
Organic Field-Effect Transistor
Dielectric Surface Energy
Initial Nucleation
Mobility
Grain Size
The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500
Zhu, BL
;
Sun, XH
;
Zha, XZ
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
收藏
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浏览/下载:46/1
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提交时间:2010/03/08
PLD
ZnO films
substrate temperature
crystal quality
grain size
optical properties
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
high index
molecular beam epitaxy
photoluminescence
SURFACE SEGREGATION
ORIENTED GAAS
INGAAS
ISLANDS
WELLS
DISKS
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
quantum dots
high index
molecular beam epitaxy
photoluminescence
SURFACE SEGREGATION
ORIENTED GAAS
INGAAS
ISLANDS
WELLS
DISKS
Surface states induced photoluminescence from Mn2+ doped CdS nanoparticles
期刊论文
solid state communications, 2000, 卷号: 115, 期号: 11, 页码: 615-618
作者:
Liu SM
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructure
chemical synthesis
optical properties
impurities in semiconductors
LUMINESCENCE PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
NANOCRYSTALS
SIZE
CRYSTALLITES
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